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Sena 185LE 超高照度鹵素?zé)簟?為半導(dǎo)體加晶圓檢查

更新時(shí)間:2026-01-26      瀏覽次數(shù):5
  一、行業(yè)痛點(diǎn):當(dāng) 28 nm 走向 3 nm,光不再只是“照亮”在 3 nm 節(jié)點(diǎn)以下,overlay 誤差預(yù)算 < 2 nm,缺陷檢測閾值 < 20 nm。傳統(tǒng) LED 或汞燈光源在 450 nm 以下波段照度驟降,導(dǎo)致:1.光學(xué)對準(zhǔn)信號-to-noise 比不足,套刻誤差放大;2.明場/暗場缺陷檢測需長時(shí)間積分,產(chǎn)能降低 15–20 %;3.深紫外區(qū)以外,灰階邊緣銳度差,CD-SEM 復(fù)檢率高。Sena 185LE 以“鹵素黑體輻射 + 濾光 + 液態(tài)金屬導(dǎo)熱”三大技術(shù),把 380–800 nm 區(qū)間照度推高到 4.5×10? lx(@100 mm WD),為 28 nm→3 nm 提供可落地的“可見光”方案。
 
  二、產(chǎn)品核心技術(shù)
 
  185 W 超短弧鹵素?zé)羟?br /> 
  ? 色溫 3400 K,可見區(qū)能量密度比 150 W 提升 42 %;
 
  ? 燈球壁厚 0.8 mm,實(shí)現(xiàn) < 0.3 mm 弧閃,適配高 NA 光學(xué)系統(tǒng)。
 
  2.Liquid-Metal Heat-Pipe 導(dǎo)熱模組
 
  ? 導(dǎo)熱系數(shù) 40 W/m·K,比熱管方案再降 18 °C;
 
  ? 燈球壽命 3000 h,L70 衰減 < 10 %。
 
  3. Hot-Mirror 濾光片? 反射 > 95 % IR(>800 nm),透射區(qū) 380–750 nm 平均透過率 96 %;? 熱負(fù)荷下降 38 %,避免光刻膠熱漂移。
 
  4.   0–100 % 無級調(diào)光 + 10 kHz 高頻斬波
 
  ? 滿足 frame-to-frame 能量閉環(huán);
 
  ? 與 E-beam、激光干涉儀同步,抖動(dòng) < 50 ns。
 
  三、半導(dǎo)體典型應(yīng)用場景
 
  光學(xué)套刻對準(zhǔn)(OAS)
 
  ? 照度↑ → 對準(zhǔn)標(biāo)記邊緣對比度↑ → 套刻誤差降低 0.4 nm;
 
  ? 300 mm 晶圓全掃描時(shí)間從 1.8 s 縮至 0.9 s,產(chǎn)能 + 3.5 %。
 
  明場缺陷檢測(BFI)
 
  ? 4.5×10? lx 輸出,可將 CCD 積分時(shí)間縮短 60 %;
 
  ? 在 0.25 µm  Poly-Si 層捕獲 20 nm 凸起缺陷,捕獲率 > 98 %。
 
  關(guān)鍵尺寸(CD)光學(xué)量測
 
  ? 高準(zhǔn)直光(NA 0.05)+ 低相干,降低 3D 光柵衍射噪聲;
 
  ? 與 CD-SEM 相關(guān)性 R² > 0.98,實(shí)現(xiàn) 100 % 非破壞抽檢。
 
  電子封裝 ABF 層對位
 
  ? 185LE 紅光區(qū)(620–750 nm)可穿透 100 µm 半透光 ABF;
 
  ? 實(shí)現(xiàn) RDL→Die 標(biāo)記一次性對準(zhǔn),省去二次翻蓋。
 
  四、落地案例
 
  • 某存儲器大廠 3 nm  pilot line
 
  – 采用 185LE + 自研深紫外鏡組,overlay 誤差由 1.8 nm 降至 1.3 nm;
 
  – 每小時(shí)曝光晶圓數(shù)(WPH)提升 4.1 %,年化增收 1.2 億美金。
 
  • 國內(nèi) 12″ 邏輯廠 28 nm 擴(kuò)產(chǎn)
 
  – 替換原有 150 W 汞燈,缺陷檢測 recipe 減少 35 %;
 
  – 設(shè)備保養(yǎng)周期從 2 周延長到 6 周,OEE 提升 6.7 %。
 
  五、選型與集成要點(diǎn)
 
  光斑尺寸:標(biāo)配 50 mm/100 mm/150 mm 三檔光纖出口,可定制 fly-eye 勻光棒;
 
  熱管理:需預(yù)留 2 L/min 去離子水冷卻,進(jìn)水溫度 22 ± 1 °C;
 
  電磁兼容:符合 SEMI F47 電壓跌落標(biāo)準(zhǔn),內(nèi)置 500 W 在線 UPS 抗 200 ms 掉電;
 
  安全:內(nèi)置雙通道 UV/IR 截止快門,滿足 IEC 62471 Exempt 等級。
 
  總結(jié)
 
  當(dāng)摩爾定律逼近物理極限,任何 1 nm 的誤差都可能轉(zhuǎn)化為 1 億美元的損失。Sena 185LE 用“超高照度”把可見光推向高標(biāo)準(zhǔn),讓光學(xué)系統(tǒng)在 28 nm→3 nm 的演進(jìn)中繼續(xù)扮演“守門人”角色——它不是替代 EUV,而是讓可見光在檢測、量測、對準(zhǔn)環(huán)節(jié)繼續(xù)發(fā)光發(fā)熱,為每一代節(jié)點(diǎn)提供可落地的“光”的增量價(jià)值。
 
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